模拟电子技术 第2版

1 (p1): 第1章 绪论
1 (p1-1): 1.1 电子技术对人类的影响
3 (p1-2): 1.2 电子技术的发展
3 (p1-2-1): 1.2.1 电子管阶段
5 (p1-2-2): 1.2.2 晶体管阶段
6 (p1-2-3): 1.2.3 集成电路阶段
8 (p1-3): 1.3 模拟电子技术课程的内容、特点与基本要求
9 (p1-4): 1.4 学习模拟电子技术的方法
11 (p2): 第2章 二极管及其应用
11 (p2-1): 2.1 半导体及PN结
11 (p2-1-1): 2.1.1 半导体的基本知识
14 (p2-1-2): 2.1.2 PN结
16 (p2-2): 2.2 二极管
16 (p2-2-1): 2.2.1 二极管的结构与类型
17 (p2-2-2): 2.2.2 二极管的伏安特性
19 (p2-2-3): 2.2.3 二极管的主要参数
20 (p2-3): 2.3 二极管基本电路
20 (p2-3-1): 2.3.1 二极管的等效电路
23 (p2-3-2): 2.3.2 二极管的应用
26 (p2-4): 2.4 特殊二极管
26 (p2-4-1): 2.4.1 稳压二极管
28 (p2-4-2): 2.4.2 光电二极管
29 (p2-4-3): 2.4.3 发光二极管
31 (p2-4-4): 2.4.4 变容二极管
31 (p2-5): 小结
32 (p2-6): 习题
35 (p3): 第3章 双极型三极管及其放大电路
35 (p3-1): 3.1 双极型三极管
35 (p3-1-1): 3.1.1 三极管的结构与符号
36 (p3-1-2): 3.1.2 三极管的工作原理
38 (p3-1-3): 3.1.3 三极管的特性曲线
39 (p3-1-4): 3.1.4 三极管的主要参数
41 (p3-2): 3.2 双极型三极管基本放大电路
41 (p3-2-1): 3.2.1 放大电路的基本概念及性能指标
43 (p3-2-2): 3.2.2 基本共射极放大电路的组成与放大原理
44 (p3-2-3): 3.2.3 静态工作点
45 (p3-3): 3.3 放大电路的图解分析法
45 (p3-3-1): 3.3.1 静态分析
47 (p3-3-2): 3.3.2 动态分析
48 (p3-3-3): 3.3.3 电路参数改变对静态工作点的影响
49 (p3-3-4): 3.3.4 静态工作点对波形失真的影响
50 (p3-4): 3.4 放大电路的微变等效电路分析法
51 (p3-4-1): 3.4.1 三极管的微变等效电路
52 (p3-4-2): 3.4.2 用微变等效电路法分析放大电路
54 (p3-5): 3.5 稳定静态工作点的方法
54 (p3-5-1): 3.5.1 影响静态工作点的因素
54 (p3-5-2): 3.5.2 静态工作点的稳定电路
57 (p3-6): 3.6 共集电极和共基极电路
57 (p3-6-1): 3.6.1 共集电极电路
59 (p3-6-2): 3.6.2 共基极电路
61 (p3-7): 3.7 差分放大电路
61 (p3-7-1): 3.7.1 零点漂移
62 (p3-7-2): 3.7.2 差分放大电路
68 (p3-7-3): 3.7.3 差分放大电路的四种接法
70 (p3-8): 3.8 多级放大电路
70 (p3-8-1): 3.8.1 多级放大电路的耦合方式
72 (p3-8-2): 3.8.2 多级放大电路的动态分析
73 (p3-9): 3.9 放大电路的频率特性
73 (p3-9-1): 3.9.1 频率特性的基本概念
78 (p3-9-2): 3.9.2 单级放大电路的频率特性
84 (p3-9-3): 3.9.3 多级放大电路的频率特性
85 (p3-10): 小结
86 (p3-11): 习题
94 (p4): 第4章 场效应管及其放大电路
94 (p4-1): 4.1 结型场效应管
94 (p4-1-1): 4.1.1 JFET的结构与工作原理
97 (p4-1-2): 4.1.2 JFET的特性曲线
99 (p4-1-3): 4.1.3 JFET的主要参数
101 (p4-2): 4.2 金属-氧化物-半导体场效应管
101 (p4-2-1): 4.2.1 增强型MOSFET
103 (p4-2-2): 4.2.2 耗尽型MOSFET
104 (p4-2-3): 4.2.3 MOSFET的主要参数
105 (p4-2-4): 4.2.4 FET使用注意事项
105 (p4-2-5): 4.2.5 FET与BJT的比较
105 (p4-3): 4.3 场效应管放大电路
105 (p4-3-1):…